A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2300UFD
8
6
4
2
0
V DS = 15V
I D = 1A
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 16 Gate-Charge Characteristics
Package Outline Dimensions
A
A3
X1-DFN1212-3
Dim Min Max Typ
E
D
e
b1
(2x)
A1
A
A1
A3
b
b1
D
E
e
L
0.47 0.53 0.50
0 0.05 0.02
- - 0.13
0.27 0.37 0.32
0.17 0.27 0.22
1.15 1.25 1.20
1.15 1.25 1.20
- - 0.80
0.25 0.35 0.30
All Dimensions in mm
L
b
Suggested Pad Layout
X
Y
Dimensions
C
Value (in mm)
0.80
Y2
Y1
(2x)
X1
(2x)
X
X1
Y
Y1
Y2
0.42
0.32
0.50
0.50
1.50
C
DMN2300UFD
Datasheet Number: DS35443 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
September 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
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相关代理商/技术参数
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DMN2400UFB4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2400UFB4-7 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2400UFB4-7B 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R
DMN2400UFB-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2400UFD-7 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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